एसडीआरएएम (सिंक्रोनस डायनामिक रैंडम-एक्सेस मेमोरी) क्या है? [मिनीटुल विकी]

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उदाहरण के लिए, आप बाजार में विभिन्न प्रकार की रैम पा सकते हैं, एसआरएएम मेमोरी । यह पोस्ट मुख्य रूप से एसडीआरएएम के बारे में बात कर रही है, इसलिए यदि आप अन्य प्रकार की रैम जानना चाहते हैं, तो जाएं मिनीटूल वेबसाइट।

एसडीआरएएम का परिचय

क्या है SDRAM? यह सिंक्रोनस डायनेमिक रैंडम-एक्सेस मेमोरी के लिए छोटा है और यह किसी भी डायनेमिक रैंडम एक्सेस मेमोरी ( नाटक ) जिसमें बाहरी पिन इंटरफेस के संचालन को बाह्य रूप से प्रदान किए गए घड़ी संकेत द्वारा समन्वित किया जाता है।

एसडीआरएएम में एक समकालिक इंटरफ़ेस होता है जिसके माध्यम से नियंत्रण इनपुट के परिवर्तन को इसके क्लॉक इनपुट के बढ़ते किनारे के बाद पहचाना जा सकता है। JEDEC द्वारा मानकीकृत SDRAM श्रृंखला में, क्लॉक सिग्नल आने वाले आदेशों के जवाब में आंतरिक परिमित राज्य मशीन के कदम को नियंत्रित करता है।

इन कमांडों को प्रदर्शन में सुधार करने और नई कमांड प्राप्त करते समय पहले से शुरू किए गए कार्यों को पूरा करने के लिए पाइपलाइन किया जा सकता है। मेमोरी को कई समान-आकार के लेकिन स्वतंत्र खंडों (जिसे बैंक कहा जाता है) में विभाजित किया गया है ताकि डिवाइस एक ही समय में प्रत्येक बैंक में मेमोरी एक्सेस कमांड के अनुसार काम कर सके, और एक इंटरलेय्ड फैशन में एक्सेस की गति को तेज कर सके।

अतुल्यकालिक DRAM की तुलना में, इससे SDRAM की उच्च संगति और उच्च डेटा ट्रांसफर दर होती है।

एसडीआरएएम का इतिहास

1992 में, सैमसंग ने 16 एमबी की क्षमता वाला पहला वाणिज्यिक SDRAM - KM48SL2000 मेमोरी चिप जारी किया। यह सैमसंग इलेक्ट्रॉनिक्स द्वारा एक CMOS (पूरक धातु-ऑक्साइड-अर्धचालक) निर्माण प्रक्रिया का उपयोग करके निर्मित किया गया था और 1993 में बड़े पैमाने पर उत्पादन किया गया था।

2000 तक, SDRAM ने अपने उच्च प्रदर्शन के कारण लगभग सभी प्रकार के DRAM को आधुनिक कंप्यूटरों में बदल दिया।

SDRAM विलंबता अतुल्यकालिक DRAM की तुलना में स्वाभाविक रूप से कम (तेज) नहीं है। वास्तव में, अतिरिक्त तर्क के कारण, प्रारंभिक एसडीआरएएम उसी अवधि में ईडीओ डीआरएएम को फटने की तुलना में धीमा था। एसडीआरएएम आंतरिक बफरिंग का लाभ कई मेमोरी बैंकों में इंटरलेव संचालन के लिए अपनी क्षमता से आता है, जिससे प्रभावी बैंडविड्थ बढ़ जाता है।

आज, लगभग सभी एसडीआरएएम विनिर्माण इलेक्ट्रॉनिक्स उद्योग संघ - जेईडीईसी द्वारा स्थापित मानकों को पूरा करता है, जो इलेक्ट्रॉनिक घटकों की अंतर को बढ़ावा देने के लिए खुले मानकों का उपयोग करता है।

एसडीआरएएम उन प्रणालियों के लिए पंजीकृत किस्में भी प्रदान करता है जिनके लिए सर्वर और वर्कस्टेशन जैसी अधिक मापनीयता की आवश्यकता होती है। अब और क्या है, अब दुनिया के सबसे बड़े एसडीआरएएम निर्माताओं में सैमसंग इलेक्ट्रॉनिक्स, पैनासोनिक, माइक्रोन टेक्नोलॉजी और हाइनिक्स शामिल हैं।

एसडीआरएएम की पीढ़ी

DDR SDRAM

SDRAM की पहली पीढ़ी है DDR SDRAM , जिसका उपयोग उपयोगकर्ताओं को अधिक बैंडविड्थ उपलब्ध कराने के लिए किया गया था। यह उसी कमांड का उपयोग करता है, जिसे प्रति चक्र एक बार स्वीकार किया जाता है, लेकिन प्रति घड़ी चक्र में दो डेटा शब्द पढ़ता या लिखता है। DDR इंटरफ़ेस घड़ी संकेत के बढ़ते और गिरते किनारों पर डेटा को पढ़ने और लिखने के द्वारा इसे पूरा करता है।

DDR2 SDRAM

DDR2 SDRAM यह डीडीआर एसडीआरएएम के समान है, लेकिन लगातार चार शब्दों तक पहुंचने के लिए न्यूनतम रीड या राइट यूनिट दोगुनी है। उच्च प्रदर्शन हासिल करने के लिए बस प्रोटोकॉल को भी सरल बनाया गया था। (विशेष रूप से, 'बर्स्ट टर्मिनेशन' कमांड को हटा दिया जाता है।) यह एसडीआरएएम की बस दर को आंतरिक रैम संचालन की घड़ी दर को बढ़ाए बिना दोगुना करने की अनुमति देता है।

DDR3 SDRAM

DDR3 SDRAM यह प्रवृत्ति जारी है, न्यूनतम पढ़ने या लिखने की इकाई को लगातार आठ शब्दों तक दोगुना करना। यह बैंडविड्थ और बाहरी बस की दर को फिर से दोगुना करने की अनुमति देता है, केवल आंतरिक संचालन के लिए घड़ी की दर को बदलने के लिए बिना। 800-1600 एम ट्रांसफर / एस (400-800 मेगाहर्ट्ज घड़ी के दोनों किनारों) को बनाए रखने के लिए, आंतरिक रैम सरणी को प्रति सेकंड 100-200 एम भ्रूण प्रदर्शन करना होगा।

DDR4 SDRAM

DDR4 SDRAM आंतरिक prefetch की चौड़ाई को फिर से दोगुना नहीं करता है, लेकिन DDR3 के समान 8n प्रीफ़ैच का उपयोग करता है। DDR4 चिप ऑपरेटिंग वोल्टेज 1.2V या उससे कम है।

DDR5 SDRAM

हालांकि DDR5 अभी तक जारी नहीं किया गया है, इसका लक्ष्य DDR4 की बैंडविड्थ को दोगुना करना और बिजली की खपत को कम करना है।

SDRAM के असफल उत्तराधिकारी

रामबस DRAM (RDRAM)

आरडीआरएएम एक स्वामित्व तकनीक थी जो डीडीआर के साथ प्रतिस्पर्धा करती थी। इसकी अपेक्षाकृत उच्च कीमत और निराशाजनक प्रदर्शन (उच्च अक्षांशों और संकीर्ण 16-बिट डेटा चैनलों के कारण डीडीआर के 64-बिट चैनलों के विपरीत) ने इसे एसडीआर ड्रैम के लिए प्रतिस्पर्धा खो दिया।

सिंक्रोनस-लिंक DRAM (SLDRAM)

एसएलडीआरएएम मानक एसडीआरएएम से अलग है जिसमें घड़ी डेटा स्रोत (एक रीड ऑपरेशन के मामले में एसएलडीआरएएम चिप) द्वारा उत्पन्न की गई थी और डेटा के समान दिशा में प्रेषित होती है, जिससे डेटा तिरछा कम हो जाता है। DCLK के स्रोत में परिवर्तन होने पर रोकने की आवश्यकता से बचने के लिए, प्रत्येक कमांड DCLK जोड़ी को निर्दिष्ट करता है जिसका वह उपयोग करेगा।

वर्चुअल चैनल मेमोरी (वीसीएम) एसडीआरएएम

VCM एक स्वामित्व प्रकार का SDRAM था जिसे NEC द्वारा डिज़ाइन किया गया था, लेकिन यह एक खुले मानक के रूप में जारी किया गया था और लाइसेंस शुल्क नहीं लिया था। यह मानक एसडीआरएएम के साथ पिन-संगत है, लेकिन कमांड अलग हैं।

यह तकनीक आरडीआरएएम की एक संभावित प्रतियोगी थी क्योंकि वीसीएम आरडीआरएएम जितना महंगा नहीं था। वर्चुअल चैनल मेमोरी (वीसीएम) मॉड्यूल यांत्रिक और विद्युत रूप से मानक एसडीआरएएम के साथ संगत है, इसलिए दोनों का समर्थन केवल मेमोरी नियंत्रक के कार्य पर निर्भर करता है।